ส่วนจำนวน :
APTGT200DA120D3G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
IGBT 1200V 300A 1050W D3
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
300A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 200A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
6mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส :
D-3 Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
D3