Infineon Technologies - IPD60R3K3C6ATMA1

KEY Part #: K6403191

IPD60R3K3C6ATMA1 ราคา (USD) [309652ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.11945
  • 2,500 pcs$0.09790

ส่วนจำนวน:
IPD60R3K3C6ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPD60R3K3C6ATMA1 electronic components. IPD60R3K3C6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R3K3C6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R3K3C6ATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPD60R3K3C6ATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
ชุด : CoolMOS™ C6
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1.7A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 40µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 4.6nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 93pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 18.1W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO252-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63