Texas Instruments - CSD87588N

KEY Part #: K6525208

CSD87588N ราคา (USD) [164129ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.22536
  • 2,500 pcs$0.20566

ส่วนจำนวน:
CSD87588N
ผู้ผลิต:
Texas Instruments
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Texas Instruments CSD87588N electronic components. CSD87588N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD87588N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD87588N คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : CSD87588N
ผู้ผลิต : Texas Instruments
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
ชุด : NexFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 25A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.9V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 736pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด : 6W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 5-XFLGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 5-PTAB (3x2.5)

คุณอาจสนใจด้วย
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.