ส่วนจำนวน :
NVMFD5485NLT1G
ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
5.3A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
44 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
20nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
560pF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerTDFN
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)