Vishay Siliconix - SI4966DY-T1-E3

KEY Part #: K6523827

SI4966DY-T1-E3 ราคา (USD) [4035ชิ้นสต็อก]

  • 2,500 pcs$0.33771

ส่วนจำนวน:
SI4966DY-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI4966DY-T1-E3 electronic components. SI4966DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4966DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4966DY-T1-E3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI4966DY-T1-E3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : -
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
พลังงาน - สูงสุด : 2W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO

คุณอาจสนใจด้วย