ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
ประเภท FET :
N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate, 4V Drive
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.7A, 3.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
-
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
18nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
955pF @ 20V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SMD, Flat Lead
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-ECH